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射頻濺射技術(shù)分析
發(fā)布時間:2015-01-19 瀏覽:5958 次

  射頻濺射就是利用射頻放電等離子體里面的正離子轟擊靶材、濺射出靶材原子從而沉積在接地的基板表面的技術(shù),和鍍膜技術(shù)又不是一樣的。

  真空鍍膜設備公司介紹,使用交流電源代替直流電源就構(gòu)成了交流濺射系統(tǒng),因為常用的交流電源的頻率在射頻段。

  如13.56MHz,所以稱為射頻濺射。

  在直流濺射裝置中,若采用絕緣材料靶的時候,轟擊靶面得正離子會在靶面上累積,使其帶正電,靶電位從而上升,使得電極間的電場逐漸變小,直至輝光放電熄滅和濺射停止,所以直流濺射裝置不能用來濺射沉積絕緣介質(zhì)薄膜。

  為濺射沉積絕緣材料,人們可以將直流電源換成交流電源,因為交流電源的正負性發(fā)生周期交替,當濺射靶處于正半周時,電子流向靶面,中和其表面積累的正電荷,并且積累電子,使其表面呈現(xiàn)負偏壓,導致在射頻電壓的負半周期時吸引正離子轟擊靶材,從而實現(xiàn)濺射。

  由于離子比電子質(zhì)量大,遷移率小,不像電子那樣很快地向靶表面集中,所以靶表面的點位上升緩慢,由于在靶上會形成負偏壓,所以射頻濺射裝置也可以濺射導體靶。

  在射頻濺射裝置中,等離子體里面的電子很容易在射頻場中吸收能量并在電場內(nèi)振蕩,因此,電子與工作氣體分子碰撞并使之電離產(chǎn)生離子的概率變大,故使得擊穿電壓、放電電壓及工作氣壓顯著降低。

 

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