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| 真空鍍膜技術(shù)英文術(shù)語 |
| 發(fā)布時間：2014-12-18 瀏覽：5994 次 |
6.1一般術(shù)語 6.1.1真空鍍膜vacuum coating在處于真空下的基片上制取膜層的一種方法。 6.1.2基片substrate膜層承受體。 6.1.3試驗基片testing substrate在鍍膜開始、鍍膜過程中或鍍膜結(jié)束后用作測量和或試驗的基片。 6.1.4鍍膜材料coating material用來制取膜層的原材料。 6.1.5蒸發(fā)材料evaporation material在真空蒸發(fā)中用來蒸發(fā)的鍍膜材料。 6.1.6濺射材料sputtering material有真空濺射中用來濺射的鍍膜材料。 6.1.7膜層材料(膜層材質(zhì))film material狀干膜層的材料。 6.1.8蒸發(fā)速率evaporation rate在給定時間間隔內(nèi)蒸發(fā)出來的材料量除以該時間間隔 6.1.9濺射速率sputtering rate在給定時間間隔內(nèi)濺射出來的材料量除以該時間間隔。 6.1.10沉積速率deposition rate在給定時間間隔內(nèi)沉積在基片上的材料量除以該時間間隔和基片表面積。 6.1.11鍍膜角度coating angle入射到基片上的粒子方向與被鍍表面法線之間的夾角。 6.2工藝 6.2.1真空蒸膜vacuum evaporation coating使鍍膜材料蒸發(fā)的真空鍍膜過程。 6.2.1.1同時蒸發(fā)simultaneous evaporation用數(shù)個蒸發(fā)器把各種蒸發(fā)材料同時蒸鍍到基片上的真空蒸發(fā)。 6.2.1.2蒸發(fā)場蒸發(fā)evaporation field evaporation由蒸發(fā)場同時蒸發(fā)的材料到基片上進行蒸鍍的真空蒸發(fā)(此工藝應(yīng)用于大面積蒸發(fā)以獲得到理想的膜厚分布)。 6.2.1.3反應(yīng)性真空蒸發(fā)reactive vacuum evaporation通過與氣體反應(yīng)獲得理想化學(xué)成分的膜層材料的真空蒸發(fā)。 6.2.1.4蒸發(fā)器中的反應(yīng)性真空蒸發(fā)reactive vacuum evaporation in evaporator與蒸發(fā)器中各種蒸發(fā)材料反應(yīng)而獲得理想化學(xué)成分膜層材料的真空蒸發(fā)。 6.2.1.5直接加熱的蒸發(fā)direct heating evaporation蒸發(fā)材料蒸發(fā)所必須的熱量是對蒸發(fā)材料(在坩堝中或不用坩堝)本身加熱的蒸發(fā)。 6.2.1.6感應(yīng)加熱蒸發(fā)induced heating evaporation蒸發(fā)材料通過感應(yīng)渦流加熱的蒸發(fā)。 6.2.1.7電子束蒸發(fā)electron beam evaporation通過電子轟擊使蒸發(fā)材料加熱的蒸發(fā)。 6.2.1.8激光束蒸發(fā)laser beam evaporation通過激光束加熱蒸發(fā)材料的蒸發(fā)。 6.2.1.9間接加熱的蒸發(fā)indirect heating evaporation在加熱裝置(例如小舟形蒸發(fā)器坩堝燈絲加熱板加熱棒螺旋線圈等)中使蒸發(fā)材料獲得蒸發(fā)所必須的熱量并通過熱傳導(dǎo)或熱輻射方式傳遞給蒸發(fā)材料的蒸發(fā)。 6.2.1.10閃蒸flash evaportion將極少量的蒸發(fā)材料間斷地做瞬時的蒸發(fā)。 6.2.2真空濺射vacuum sputtering在真空中惰性氣體離子從靶表面上轟擊出原子分子或原子團的過程。 6.2.2.1反應(yīng)性真空濺射 reactive vacuum sputtering通過與氣體的反應(yīng)獲得理想化學(xué)成分的膜層材料的真空濺射。 6.2.2.2 偏壓濺射bias sputtering在濺射過程中將偏壓施加于基片以及膜層的濺射。 6.2.2.3 直流二級濺射direct current diode sputtering通過二個電極間的直流電壓使氣體自持放電并把靶作為陰極的濺射。 6.2.2.4非對稱性交流濺射asymmtric alternate current sputtering通過二個電極間的非對稱性交流電壓使氣體自持放電并把靶作為吸收較大正離子流的電極。 6.2.2.5高頻二極濺射high frequency diode sputtering通過二個電極間的高頻電壓獲得高頻放電而使靶極獲得負(fù)電位的濺射。 6.2.2.6熱陰極直流濺射三極型濺射hot cathode direct current sputtering借助于熱陰極和陽極獲得非自持氣體放電氣體放電所產(chǎn)生的離子由在陽極和陰極靶之間所施加的電壓加速而轟擊靶的濺射。 6.2.2.7 熱陰極高頻濺射三極型濺射hot cathode high frequency sputtering借助于熱陰極和陽極獲得非自持氣體放電氣體放電產(chǎn)生的離子在靶表面負(fù)電位的作用下加速而轟擊靶的濺射。 6.2.2.8離子束濺射ion beam sputtering利用特別的離子源獲得的離子束使靶的濺射。 6.2.2.9輝光放電清洗glow discharge cleaning利用輝光放電原理使基片以及膜層表面經(jīng)受氣體放電轟擊的清洗過程。 6.2.3物理氣相沉積PVD physical vapor deposition在真空狀態(tài)下鍍膜材料經(jīng)蒸發(fā)或濺射等物理方法氣化沉積到基片上的一種制取膜層的方法。 6.2.4化學(xué)氣相沉積CVD chemical vapor deposition一定化學(xué)配比的反應(yīng)氣體在特定激活條件下通常是一定高的溫度通過氣相化學(xué)反應(yīng)生成新的膜層材料沉積到基片上制取膜層的一種方法。 6.2.5磁控濺射magnetron sputtering借助于靶表面上形成的正交電磁場把二次電子束縛在靶表面特定區(qū)域來增強電離效率增加離子密度和能量因而可在低電壓大電流取得很高濺射速率。 6.2.6 等離子體化學(xué)氣相沉積PCVD plasma chemistry vapor deposition通過放電產(chǎn)生的等離子體促進氣相化學(xué)反應(yīng)在低溫下在基片上制取膜層的一種方法。 6.2.7空心陰極離子鍍HCD hollow cathode discharge deposition 利用空心陰極發(fā)射大量的電子束使坩堝內(nèi)鍍膜材料蒸發(fā)并電離在基片上的負(fù)偏壓作用下離子具有較大能量 沉積在基片表面上的一種鍍膜方法。 6.2.8電弧離子鍍arc discharge deposition以鍍膜材料作為靶極借助于觸發(fā)裝置使靶表面產(chǎn)生弧光放電鍍膜材料在電弧作用下產(chǎn)生無熔池蒸發(fā)并沉積在基片上的一種鍍膜方法。 6.3專用部件 6.3.1鍍膜室coating chamber真空鍍膜設(shè)備中實施實際鍍膜過程的部件 6.3.2蒸發(fā)器裝置evaporator device真空鍍膜設(shè)備中包括蒸發(fā)器和全部為其工作所需要的裝置(例如電能供應(yīng)、供料和冷卻裝置等)在內(nèi)的部件。 6.3.3蒸發(fā)器evaporator蒸發(fā)直接在其內(nèi)進行蒸發(fā)的裝置例如小舟形蒸發(fā)器坩堝燈絲加熱板加熱棒螺旋線圈等等必要時還包括蒸發(fā)材料本身。 6.3.4直接加熱式蒸發(fā)器evaporator by direct heat蒸發(fā)材料本身被加熱的蒸發(fā)器。 6.3.5間接加熱式蒸發(fā)器evaporator by indirect heat蒸發(fā)材料通過熱傳導(dǎo)或熱輻射被加熱的蒸發(fā)器。 6.3.6蒸發(fā)場evaporation field由數(shù)個排列的蒸發(fā)器加熱相同蒸發(fā)材料形成的場。 6.3.7濺射裝置sputtering device包括靶和濺射所必要的輔佐裝置(例如供電裝置氣體導(dǎo)入裝置等)在內(nèi)的真空濺射設(shè)備的部件。 6.3.8靶target用粒子轟擊的面。本標(biāo)準(zhǔn)中靶的意義就是濺射裝置中由濺射材料所狀干的電極。 6.3.9擋板shutter用來在時間上和(或)空間上限制鍍膜并借此能達到一定膜厚分布的裝置。擋板可以是固定的也可以是活動的。 6.3.10時控?fù)醢錿iming shutter在時間上能用來限制鍍膜因此從鍍膜的開始、中斷到結(jié)束都能按規(guī)定時刻進行的裝置。 6.3.11掩膜mask用來遮蓋部分基片在空間上能限制鍍膜的裝置。 6.3.12基片支架substrate holder可直接夾持基片的裝置例如夾持裝置框架和類似的夾持器具。 6.3.13夾緊裝置clamp在鍍膜設(shè)備中用或不用基片支架支承一個基片或幾個基片的裝置例如夾盤夾鼓球形夾罩夾籃等。夾緊裝置可以是固定的或活動的(旋轉(zhuǎn)架行星齒輪系等)。 6.3.14換向裝置reversing device在真空鍍膜設(shè)備中不打開設(shè)備能將基片、試驗玻璃或掩膜放到理想位置上的裝置(基片換向器試驗玻璃換向器掩膜換向器)。 6.3.15基片加熱裝置substrate heating device在真空鍍膜設(shè)備中通過加熱能使一個基片或幾個基片達到理想溫度的裝置。 6.3.16基片冷卻裝置substrate colding device在真空鍍膜設(shè)備中通過冷卻能使一個基片或幾個基片達到理想溫度的裝置。 6.4真空鍍膜設(shè)備 6.4.1真空鍍膜設(shè)備vacuum coating plant在真空狀態(tài)下制取膜層的設(shè)備。 6.4.1.1真空蒸發(fā)鍍膜設(shè)備vacuum evaporation coating plant借助于蒸發(fā)進行真空鍍膜的設(shè)備。 6.4.1.2真空濺射鍍膜設(shè)備vacuum sputtering coating plant借助于真空濺射進行真空鍍膜的設(shè)備。 6.4.2連續(xù)鍍膜設(shè)備continuous coating plant被鍍膜物件單件或帶材連續(xù)地從大氣壓經(jīng)過壓力梯段進入到一個或數(shù)個鍍膜室再經(jīng)過相應(yīng)的壓力梯段繼承離開設(shè)備的連續(xù)式鍍膜設(shè)備。 6.4.3半連續(xù)鍍膜設(shè)備semi- continuous coating plant被鍍物件通過閘門送進鍍膜室并從鍍膜室取出的真空鍍膜設(shè)備。
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