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| MPCVD金剛石鍍膜沉積技術(shù) |
| 發(fā)布時(shí)間：2014-11-17 瀏覽：10674 次 |
金剛石膜是一種集眾多優(yōu)異性能于一身的新材料，尤其是其熱導(dǎo)率高、絕緣性能好以及微波介電損耗低等特點(diǎn)，使金剛石膜在微波電真空器件領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用前景。 目前，以微波等離子體化學(xué)氣相沉積(MPCVD)方法制備高品質(zhì)金剛石膜的技術(shù)已趨向成熟。本文將針對微波電真空器件這一應(yīng)用背景，簡要介紹國內(nèi)外高品質(zhì)金剛石膜MPCVD沉積技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀，進(jìn)而對金剛石膜材料應(yīng)用于微波電真空器件領(lǐng)域的一些典型實(shí)例進(jìn)行簡單的介紹。 金剛石具有一系列獨(dú)特的性質(zhì)，包括極高的熱導(dǎo)率、極佳的介電強(qiáng)度和很低的介電損耗等。正是出于這一原因，真空技術(shù)網(wǎng)(http://www.chvacuum.com/)認(rèn)為金剛石在微波電真空器件領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用前景。 在最近的十余年里，以微波等離子體化學(xué)氣相沉積(microwave plasma chemical vapor deposition，MPCVD)方法為代表的金剛石膜沉積技術(shù)取得了長足的發(fā)展。 應(yīng)用MPCVD技術(shù)，目前人們已可以制備尺寸較大、品質(zhì)很高的金剛石膜材料。 在此基礎(chǔ)之上，金剛石膜作為一種結(jié)合了眾多優(yōu)異性能的實(shí)用材料在微波電真空器件領(lǐng)域中的應(yīng)用已經(jīng)開始嶄露頭角。 本文將首先簡述MPCVD方法沉積金剛石膜的原理，進(jìn)而介紹國內(nèi)外MPCVD金剛石膜沉積技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀以及MPCVD方法在制備高品質(zhì)金剛石膜材料方面的應(yīng)用情況。 最后，我們將有選擇地對金剛石膜材料應(yīng)用于微波電真空器件領(lǐng)域的一些典型實(shí)例進(jìn)行介紹。 1、MPCVD方法金剛石膜沉積技術(shù) 在各種可用于金剛石膜的沉積方法之中，MPCVD方法是制備高品質(zhì)金剛石膜的首選方法。圖1是利用MPCVD方法制備金剛石膜過程的示意圖。 其中，微波能量在被輸入到MPCVD裝置中后，將使處于低壓下的氣體擊穿而形成等離子體。在金剛石膜沉積過程中，一般以氫氣為主、但加入少量含碳?xì)怏w(如約2%的甲烷)的混合氣體作為工作氣體。等離子體會使氣體受到激發(fā)，它產(chǎn)生的各種活性基團(tuán)在擴(kuò)散到襯底表面后沉積出金剛石膜。 MPCVD方法沉積的金剛石膜的品質(zhì)較高，但金剛石膜的沉積速率相對較低。而解決這一問題的方法就在于顯著提高M(jìn)PCVD金剛石膜沉積裝置可輸入的微波功率。因此，發(fā)展新型MPCVD裝置和借此提高金剛石膜的沉積速率，一直是MPCVD金剛石膜沉積技術(shù)研究的重點(diǎn)。  圖1 MPCVD方法中金剛石膜的沉積環(huán)境 2、國際上MPCVD金剛石膜沉積裝置的發(fā)展現(xiàn)狀 表1羅列了國際上有代表性的美、德、日、法、俄等國有公開資料報(bào)道的MPCVD金剛石膜沉積裝置的基本情況。 表1 國外典型MPCVD金剛石膜沉積裝置的類型與參數(shù)  從表1可以看出，MPCVD金剛石膜沉積裝置可被分為頻率為2.45和915MHz的兩大類，而其類型則包括了石英鐘罩式、圓柱諧振腔式、環(huán)形天線式以及橢球諧振腔式等四種。不同MPCVD裝置的主要差別之一是其允許輸入的微波功率高低。 2.45GHz頻率的石英鐘罩式MPCVD裝置允許輸入的微波功率一般不超過3kW，圓柱諧振腔式裝置的輸入功率一般不超過5kW，環(huán)形天線式裝置允許輸入的微波功率較高，可達(dá)6～8kW，而橢球諧振腔式裝置由于使用的石英鐘罩較大，因而其可輸入的微波功率也較高，達(dá)到約6kW。 2.45GHz頻率的MPCVD裝置可沉積的金剛石膜的尺寸有一定的限度，一般不超過3英寸。這是因?yàn)?，各種MPCVD 裝置均屬于諧振腔式的裝置，其可沉積的金剛石膜的尺寸與所用微波的半波長成正比。 915MHz頻率的MPCVD裝置可以沉積較大尺寸的金剛石膜，因?yàn)橄鄳?yīng)的微波波長較長。與此同時(shí)，915 MHz頻率的MPCVD 裝置的功率也較高，通常處于30～75kW 的范圍內(nèi)。 3、我國MPCVD金剛石膜沉積技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀 在我國，MPCVD金剛石膜沉積技術(shù)雖一直得到人們的關(guān)注，但其發(fā)展卻相對滯后。近年來，北京科技大學(xué)、武漢工程大學(xué)等單位分別在發(fā)展高功率MPCVD金剛石膜沉積技術(shù)方面取得了顯著進(jìn)展。 圖2(a)是北京科技大學(xué)近年來研制的一種具有穹頂式諧振腔結(jié)構(gòu)的MPCVD裝置的示意圖。 這一裝置較好地解決了高功率、石英窗的保護(hù)以及真空密封等難點(diǎn)，其微波輸入功率可達(dá)10kW。圖2(b)顯示的是采用新型MPCVD裝置所沉積的直徑50mm的金剛石膜，而圖2(c)則是此金剛石膜的Raman光譜圖。由圖2(b)，(c)可以看出，采用新裝置所沉積的金剛石膜具有很高的品質(zhì)，這一點(diǎn)可由金剛石膜具有很好的透光性以及金剛石膜Raman光譜中金剛石相Raman譜線2.3cm-1的半峰寬看出來。 除了自行研制MPCVD金剛石膜沉積裝置外，國內(nèi)的一些研究單位也從國外陸續(xù)購置了MPCVD裝置。吉林大學(xué)使用日本Seki公司產(chǎn)的ASTeX5250型5kW 圓柱諧振腔式MPCVD裝置研究了光學(xué)級金剛石膜的沉積工藝和單晶金剛石膜的同質(zhì)外延;天津理工大學(xué)利用日本Seki公司的AX6350型6kW MPCVD裝置開展了金剛石膜聲表面波器件的研究;中電集團(tuán)12所利用Lambda公司的DiamoTek700型5kW 石英鐘罩式MPCVD裝置，開展了微波器件用高品質(zhì)金剛石膜的制備技術(shù)研究;西安交通大學(xué)計(jì)劃采用日本Seki公司的AX6500型8kW MPCVD裝置等開展金剛石單晶電子器件的研究工作。  圖2 穹頂形諧振腔式MPCVD金剛石膜沉積裝置的結(jié)構(gòu)圖，其所制備的金剛石膜以及后者的Raman光譜圖 6、結(jié)束語 目前，MPCVD金剛石膜沉積技術(shù)已經(jīng)有了長足的發(fā)展，已經(jīng)可以為科學(xué)研究和器件研制提供較高品質(zhì)的金剛石膜材料。這使得在微波電真空器件領(lǐng)域中應(yīng)用金剛石這種性能優(yōu)異的新材料，探索和制造具有新結(jié)構(gòu)、新功能的微波器件供了可能性。 目前，人們正在探索將金剛石膜材料應(yīng)用于諸如高功率回旋管和短毫米波行波管輸出窗、行波管螺旋線與慢波結(jié)構(gòu)、場致發(fā)射與二次電子發(fā)射器件等一系列微波電真空器件的關(guān)鍵部件。 在不遠(yuǎn)的將來，隨著人類探索范圍的不斷擴(kuò)大，金剛石膜這種具有多種優(yōu)異性能的新材料在各高技術(shù)領(lǐng)域?qū)粩嗟匕l(fā)現(xiàn)新的用途。
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