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磁控濺射鍍膜設(shè)備濺射原理分析
發(fā)布時(shí)間:2014-09-23 瀏覽:5525 次

  真空鍍膜機(jī)設(shè)備濺射鍍膜是把靶材和基體一起放入真空室中,然后利用正離子轟擊作為陰極的靶,使靶材中的原子、分子逸出并在基體表面上凝聚成膜。

  直流濺射真空鍍膜機(jī)直流濺射鍍膜又稱為陰極濺射鍍膜,真空室內(nèi)真空度先抽到10-2Pa以下,使工作氣壓為10Pa,靶上加的工作直流電壓-2KV~-5KV使之產(chǎn)生異常輝光放電,從而使靶材產(chǎn)生濺射。

  中頻濺射鍍膜鍍膜室常用于兩個(gè)并排安置,反應(yīng)濺射鍍膜在濺射鍍膜時(shí),將某種反應(yīng)氣體通入鍍膜室并達(dá)到一定的分壓,即可改變或控制沉積特性,獲得不同于靶材的新物質(zhì)薄膜。

  磁控濺射鍍膜磁控濺射是70年代迅速發(fā)展起來(lái)的一種“高速低溫濺射技術(shù)”。

  磁控濺射是在陰極靶表面上方形成一個(gè)正交電磁場(chǎng),真空鍍膜廠家當(dāng)濺射產(chǎn)生的二次電子在陰極位降區(qū)內(nèi)被加速為高能電子后,并不直接飛向陰極而是在正交電磁場(chǎng)作用下作來(lái)回振蕩運(yùn)動(dòng)。

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