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磁控濺射鍍膜技術(shù)優(yōu)勢(shì)分析? |
發(fā)布時(shí)間:2014-09-19 瀏覽:4245 次 |
據(jù)調(diào)查顯示,對(duì)于沉積速率,真空鍍膜機(jī)技術(shù)中的磁控濺射鍍膜運(yùn)用效果很好。 有項(xiàng)研究就是對(duì)平衡磁控濺射鍍膜和非平衡磁控濺射鍍膜進(jìn)行各種對(duì)比。 在這兩者之前,對(duì)其成膜的沉積速率的不同作出了實(shí)驗(yàn)研究。 在實(shí)驗(yàn)中,通過(guò)在平衡磁控濺射的基礎(chǔ)上增加附加的線圈來(lái)控制磁場(chǎng)的變化,形成非平衡磁控濺射條件,這種附加線圈可以改變磁場(chǎng)電流,調(diào)整在整個(gè)靶材表面所存 在的磁場(chǎng)狀況,從而使其產(chǎn)生的離子密度更高。 在研究數(shù)據(jù)中顯示,當(dāng)離子密度提高,成膜的沉積速率也相應(yīng)提高,通過(guò)這種調(diào)整電流的方式,可以提高磁控濺射鍍膜時(shí)的沉積速率。 把靶材與基底之間的距離改變,當(dāng)距離越大,沉積速率就越低,相反就越高,所以要設(shè)定好靶材與基底的距離。 距離大了,離子隨著磁場(chǎng)所產(chǎn)生的電流沉積到基底上的時(shí)間就長(zhǎng)了,在此時(shí)間內(nèi)受到真空鍍膜設(shè)備中的氣體散射的影響就多了,離子密度相對(duì)降低,距離短就受影響少,離子密度就高,但不是越短越好的,太短距離就相對(duì)減少成膜的面積,所以這個(gè)距離需要拿捏好,可以提高磁控濺射鍍膜時(shí)的沉積速率。 通過(guò)以上分析,磁控濺射鍍膜機(jī)的技術(shù)還是十分有效的。 推薦閱讀 |