電弧 |
電弧是自發(fā)的電弧放電,從而對鍍膜質(zhì)量產(chǎn)生負面影響。 |
電弧管理 |
為了應對突然的電弧放電,人們使用了電弧管理系統(tǒng)。通過反應快速的傳感器快速、準確地探測到正在產(chǎn)生的電弧,并作出響應。 |
布里茲曼•斯托克巴杰法 |
也稱作垂直拉制法。在封閉杯的坩堝中加熱多晶基材,然后以較低的冷卻速率使其慢慢冷卻。石墨感應器用于傳遞熱量。將坩堝移出射頻場時,晶體也隨之冷卻變硬。換個方法,也可以通過降低電源輸出功率達到相同效果。 |
CO2 激光 |
二氧化碳激光是受激的氣體激光,波長為 10.6 μm (遠紅外),廣泛用于材料加工工藝。 |
CVD |
化學氣相沉積 (CVD) 技術(shù)能在各種不同質(zhì)量的材料表面沉積一層鍍膜。由氣態(tài)物質(zhì)生成固態(tài)的鍍膜材料,然后以晶態(tài)或非晶態(tài)的形式沉積在需要鍍膜的材料(基材)上。 |
Czochralski法
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也稱為坩堝拉制法。將需要處理的材料在一個坩堝中熔化。單晶晶核逐漸靠近浴爐表面的中心,并與其接觸。在毛細作用下,液體沿著晶核升高,形成彎月面,產(chǎn)生液體-固體-氣體的分界面。晶核然后被慢慢地向上拉伸,從而形成單晶。始終使單晶保持旋轉(zhuǎn),單晶就生長成晶格。 |
摻雜 |
在某種材料中有針對性地摻入雜質(zhì),通常濃度很小。主要應用于半導體領(lǐng)域的電導率調(diào)節(jié)。 |
晶體外延生長 |
單晶鍍膜在相同材料的單晶基材上生長,同時保留晶體結(jié)構(gòu)。 |
半導體 |
由于其電導率,是既可視為導體也可視為絕緣體的固體。電導率在很大程度上取決于溫度,受到摻雜程度的影響。生產(chǎn)半導體的主要材料為硅。 |
感應 |
通過周圍磁場隨著時間交替變化而在導體中產(chǎn)生電流。 |
感應加熱 |
感應加熱是通過電磁感應來加熱金屬物件的過程。所有電導性材料均可被感應加熱。 |
感應耦合等離子體 |
交流電流過線圈,在氣體中感應生成電流,電流又使帶電粒子升溫,并擊穿氣體產(chǎn)生等離子體。感應線圈不需要再反應腔體內(nèi)。 |
感應器 |
在感應加熱過程中用于產(chǎn)生工件所在的電磁場。用交流電來產(chǎn)生電磁場。 |
離子植入 |
粒子束法:通過轟擊基材表面植入高能粒子。常見于微電子領(lǐng)域,用于半導體摻雜和金屬表層處理以提高其機械性能。 |
同軸電纜 |
具有同心結(jié)構(gòu)的雙芯電纜。通過絕緣體或電介體將內(nèi)層導體和外層導體隔開。這樣的布置方式降低了電纜外的電磁場。同軸電纜常用于連接高頻電源和匹配箱。 |
同軸變壓器 |
一種構(gòu)造類似同軸電纜的特殊變壓器,次級線圈包裹住初級線圈。主要用于減弱感應器處的高頻電壓。 |
電容器 |
電容器存儲電荷,通過與電感線圈串聯(lián)或并聯(lián),能在感應加熱電源中形成諧振電路。 |
磁控濺鍍 |
在采用磁控濺鍍工藝時,除了電場之外在陰極后面還施加了一個磁場。此磁場將等離子體中的電子導向靶材表面,因而提高了沉積濺射率。 |
匹配箱 |
通過濾波器和諧振電路,使陰極的阻抗與電源輸出阻抗相匹配的匹配網(wǎng)絡。 |
低溫等離子體 |
低溫等離子體是指電能低于 10 eV 或 105 K、電子密度從 1014 到 1024 m-3 的氣相等離子體。通常,低溫等離子體在很低的密度時具有很小的電離度,也就是說離子和電子的數(shù)量比中性粒子(原子或者分子)少得多。所有低溫等離子體的主 要共同特征是,等離子體內(nèi)部的不同粒子可能具有不同的溫度或者能量。這就是說,氣體保持相對低溫,但是某些粒子盡管如此仍攜帶很高的能量(例如日光燈 管)。 |
等離子體 |
在物理上,人們將等離子體成為具有電子特征的電離氣體。如果向氣體中施加巨大的能量使一部分原子電離出來,就會產(chǎn)生等離子體。等離子體總的來說是中性的,因為帶正電和帶負電粒子的數(shù)量基本上相同。 |
等離子體激活 |
在等離子體的作用下激活一個表面,例如通過去除鈍化物(氧化層),以及為了后續(xù)(鍍膜)工藝對表面進行準備,例如涂鍍鍍膜、涂漆等。 |
等離子體激發(fā) |
當固體材料被加熱后,其變成液體甚至氣體。當溫度繼續(xù)升高,氣體顆粒的熱動能變得很高,以至于電子在碰撞過程中從分子或原子中分離,進而導致等離子體激發(fā)。 |
等離子體鍍膜 |
工作氣體離子轟擊靶材表面,從而使靶材顆粒沉積在基板上的過程。等離子體在大多數(shù)先進的真空鍍膜工藝(例如PVD、CVD)中都可以使用。成膜過程在等離子體中發(fā)生;等離子體的高能量可以提高鍍膜質(zhì)量(例如粘附)?,F(xiàn)代的PVD及CVD工藝均基于等離子體。 |
PECVD |
一種通過等離子體激發(fā)化學反應的 CVD 工藝(PECVD,等離子體增強化學氣相沉積)。通過吸收來自等離子體的能量,可以在低于 500° C 的較低溫度下產(chǎn)生化學反應。PECVD 主要用于工具鍍膜和微電子行業(yè)。 |
等離子體聚合 |
在等離子體(或者紫外線)的作用下,有機或者無機聚合物從單體蒸汽中析出。例如在太陽能行業(yè)中用作反射鏡的防護層,在汽車中用在大燈上,或者用于生產(chǎn)薄膜。 |
等離子體源 |
在利用靜電放電生成等離子體時,直流電和交流電進行從高頻到微波的大范圍放電。隨著激發(fā)頻率越來越高,可以實現(xiàn)更高的離子密度。脈動的和其它隨著 時間變化的等離子體可以使等離子在短時間內(nèi)聚集巨大的能量,并且有針對性地控制這個過程,從而例如發(fā)生能量弛豫過程或者后續(xù)反應,并且將其用于反應工藝。 |
等離子體刻蝕 |
是一種通過利用等離子體的相互作用在基材上形成揮發(fā)性反應物的涂鍍技術(shù)。這種相互作用可以是來自化學反應(反應性等離子體刻蝕),也可以是物理現(xiàn)象(濺射表面),然后就使材料涂鍍在基材上。這種工藝主要用在半導體工業(yè)。 |
等離子體熱處理 |
是一種在等離子體作用下的熱化學工藝,通過這種工藝可以大大降低工件在處理時的溫度。 |
PVD |
物理氣相沉積:利用物理工藝(蒸發(fā)、用高能離子轟擊等)在真空中涂鍍一種材料(靶材)。這種鍍膜材料隨即從氣態(tài)變?yōu)楣虘B(tài),沉積到基材上。PVD 工藝適用于在相對比較低的溫度下鍍膜。 |
高溫計 |
用于非接觸式溫度測量的儀器,主要功能是探測從一個物體散發(fā)出的、一定波長范圍內(nèi)的熱輻射。由此可以實現(xiàn)非接觸式測量。 |
反應性磁控濺鍍 |
在處理腔內(nèi),向工作氣體中加入反應氣體。通過等離子體電離出來的離子在真空室內(nèi)與濺射出來的鍍膜原子發(fā)生反應。而后,由此產(chǎn)生的反應物沉積在基材表面。 |
諧振電路 |
用于產(chǎn)生電諧振的電路。理想的(無損失)的諧振電路只由一個電感器和一個電容器組成;實際的(有損失的)諧振電路還要配有負責緩沖振蕩的歐姆電 阻。諧振電路分為并聯(lián)和串聯(lián)諧振電路。每個實際諧振電路的主要指標都是諧振頻率和功率因素。功率因素反映了無功功率和有功功率的比例。 |
濺鍍 |
指的是一個物理過程,在這個過程中原子在高能離子的轟擊下從固體(靶材)中脫落,轉(zhuǎn)變?yōu)闅鈶B(tài)。脫離出來的粒子沉積在基材上,形成鍍膜。鍍膜率相對比較低,但是鍍膜特別厚、平整。濺鍍工藝主要應用在微電子產(chǎn)品、光學儀器和工具的鍍膜上。 |
基材 |
基材是指需要鍍膜的對象。在芯片工業(yè)中可能就是硅晶圓,在其它用途中可能將玻璃用作液晶屏幕或者光伏電池的基材?;倪€可以是紡織品、薄膜和塑料。 |
靶材 |
靶材是等離子體濺射工藝中需要濺射的材料。 |
蒸發(fā) |
鍍膜材料在真空中蒸發(fā)(例如通過電阻加熱器或者用電子束加熱)。蒸汽沉積在基材上。通過汽化可以實現(xiàn)很高的鍍膜率,但是由于沒有等離子體的作用,鍍膜不再十分嚴密。例如用在大面積鍍膜上。 |