鍍膜設(shè)備技能需求
1、鍍膜設(shè)備中的真空管道、靜態(tài)密封零部件（法蘭、密封圈等）的規(guī)劃方式，應(yīng)契合GB/T6070的規(guī)則。
2、在低真空和高真空管道上及真空鍍膜室上應(yīng)設(shè)備真空丈量規(guī)管，別離丈量各部位的真空度。當(dāng)發(fā)現(xiàn)電場(chǎng)對(duì)丈量形成攪擾時(shí)，應(yīng)在丈量口處設(shè)備電場(chǎng)屏蔽設(shè)備。
3、若是設(shè)備運(yùn)用的主泵為分散泵時(shí)，應(yīng)在泵的進(jìn)氣口一側(cè)裝設(shè)有油蒸捕集阱
4、鍍膜設(shè)備的鍍膜室應(yīng)設(shè)有觀察窗，應(yīng)設(shè)有擋板設(shè)備。觀察窗應(yīng)能觀察到堆積源的作業(yè)情況以及其他關(guān)鍵部位。
5、離子鍍堆積源的規(guī)劃應(yīng)盡能夠進(jìn)步鍍膜過(guò)程中的離化率，進(jìn)步鍍膜資料的利用率，合理匹配堆積源的功率，合理安置堆積源在真空室體的方位。
6、合理安置加熱設(shè)備，通常加熱器規(guī)劃規(guī)劃應(yīng)使被鍍工件溫升均勻共同。
7、工件架應(yīng)與真空室體絕緣，工件架的規(guī)劃應(yīng)使工件膜層均勻
8、離子鍍膜設(shè)備通常應(yīng)具有工件負(fù)偏壓和離子轟擊電源，離子轟擊電源應(yīng)具有按捺非正常放電設(shè)備，保持作業(yè)安穩(wěn)
9、真空室接不一樣電位的各部分間的絕緣電阻值的大小，均按GB/T11164-1999中的4.4.6
1、鍍膜設(shè)備環(huán)境溫度：10-30oC
2、鍍膜設(shè)備相對(duì)濕度：不大于75%
3、鍍膜設(shè)備冷卻水進(jìn)水溫度：不高于25oC
4、鍍膜設(shè)備冷卻水質(zhì)：城市自來(lái)水或適當(dāng)質(zhì)量的水
5、鍍膜設(shè)備供電電源：380V三相50Hz或220V單相50Hz(由所用電器需求而定)；電壓動(dòng)搖規(guī)模：342-399V或198-231V；
頻率動(dòng)搖規(guī)模：49-51Hz.
6、鍍膜設(shè)備所需的壓縮空氣，液氮，冷水、熱水等的壓力、溫度，消耗量等，均應(yīng)在產(chǎn)品運(yùn)用說(shuō)明書(shū)中寫(xiě)明。
7、鍍膜設(shè)備周圍環(huán)境整齊，空氣清洗，不該有導(dǎo)致電器及其他金屬件外表腐蝕或?qū)е陆饘匍g導(dǎo)電的塵土或氣體存在。
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